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三星正式宣布开始大规模量产64层V-NAND闪存芯片

三星日前在韩国正式宣布该公司即日起开始大规模量产 64层堆叠并且容量达到256Gb的 V-NAND 闪存芯片。

同时该类型的V-NAND闪存芯片不仅是用于SSD固态硬盘, 还会用于内存卡、UFS闪存以及其他外置存储卡。

三星正式宣布开始大规模量产64层V-NAND闪存芯片

作为三星的第四代V-NAND闪存芯片其带宽速度高达1Gbps, 同时其供电电压已经从3.3伏特降低到2.8伏特。

三星公司称第四代V-NAND闪存芯片将会陆续开始应用在消费级产品, 预计很快就可以看到此类型的产品了。

三星正式宣布开始大规模量产64层V-NAND闪存芯片

三星正式宣布开始大规模量产64层V-NAND闪存芯片

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