三星宣布开始量产10纳米级别的8GB DDR4内存

三星宣布开始量产10纳米级别的8GB DDR4内存

三星日前已经宣布开始量产10纳米级别的8GB DDR4内存条,新款内存相比拥有更低的功耗和更出色的性能。

该公司称新款内存能源效率方面提高约15%可延长设备续航时间,同时在性能方面亦有大约10%左右的提高

性能提高得益于每个模块速度由此前的3200Mbps提高到3600Mbps,最终在整体性能方面获得10%的提高。

三星宣布开始量产10纳米级别的8GB DDR4内存

值得注意的是三星在新内存中使用空气间隔技术来降低寄生电容,寄生电容可能会影响产品整体的性能等等

同时新款内存在体积上较此前版本缩小了些,该公司认为这样可以降低对空间的占用以便增加更多的零部件

目前三星已经与CPU供应商完成对全新的8GB DDR4内存的验证,因此在正常使用上也不会出现兼容性问题。

三星称预计将会继续提高10纳米级别8GB DDR4内存的产能以便能满足全球优质电子系统对内存方面的需求。

译者注:10纳米级别是指技术工艺在10~19纳米范围内,三星在2016年2月推出首款10纳米级的DDR4内存。

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