高通计划明年升级快速充电技术 将输出功率提高到32W

快速充电技术几乎是现在所有旗舰级设备必备的技术，这项技术能够极大地缩短充电时间并减少用户的等待。

虽然现在快速充电技术已经可以缩短到30分钟，不过高通公司对这个时间仍然不满意因此准备继续进行突破。

最新的报告指出高通计划在现有快速充电技术上将功率输出提高到32 瓦，几乎是现在18 瓦功率输出的两倍。

图为QC 4.0

如何解决快速充电的发热问题：

快速充电技术最大的问题自然是输出时产生的热量，高通公司原本计划使用双通道分流来降低整体的发热量。

双通道让电能通过两条路径确保更快的充电同时降低散热，但现在来看似乎这也不能解决 32 瓦的整体散热。

所以高通正在计划采用三通道的形式通过三条路径继续分流，通过这种方式来解决设备在充电时产生的热量。

预计随8150/855处理器发布：

新的快充技术是基于QC 4.0 但新发布的可能会是QC 5.0 版，至于是基础升级还是发布新版本暂时尚无消息。

同时新充电技术可能会随高通骁龙8150和855处理器发布，至于厂商是否采用新技术也得看到时候实际情况。

另外 32 瓦快速充电技术可能会让设备充电时间缩短到10分钟左右，这么短的充电时间看起来确实有吸引力。