三星推出第六代 V-NAND 闪存 降低延迟与功耗 最高可达 136 层堆叠

Samsung（三星）于本周二推出了第六代 V-NAND 闪存，最多可以设计突破 100 层堆叠，有利于未来进一步提高存储器的容量和密度。要使 V-NAND 堆叠超过 100 层，则不得不使用新的电路设计。与 Samsung 的上一代 V-NAND 相比，延迟降低了 10％，功耗降低了 15％。

Samsung 的第六代 V-NAND 闪存可提供高达 136 层堆叠，新闪存使用一个堆栈，并且不再使用 string stacking（字符串堆叠）等技术。为了实现低错误率和低延迟，Samsung 使用新的 speed-optimized 电路设计，最终使 3D TLC 256 Gb 芯片能够实现写延迟低于 450 微秒，读延迟低于 45 微秒。相比上一代产品，整体延迟降低了 10％。Samsung 也表示，在降低了延迟的同时，功耗也低于其前代产品。

值得注意的是，新的 V-NAND 闪存使用 6.7 亿个孔，低于上一代的 9.3 亿个。这意味着新芯片需要更少的工艺步骤并且更容易制造。重要的是，Samsung 计划将用 speed-optimized 电路设计构建超过 300 层的 V-NAND 闪存，通过将三个堆栈安装在彼此之上（闪存容量也同样增加三倍）。

最初，Samsung 将提供 256 Gb 3D TLC 136 层 V-NAND 闪存，这些闪存将首先用于 Samsung 自家的的 250 GB SSD。今年晚些时候，Samsung 计划发布 512 Gb 136 层 V-NAND 设备，这些设备将用于其他驱动器以及 eUFS 存储解决方案。顺带提一句，新款 SSD 所采用的 Samsung 的主控芯片 S4LR030/S94G4MW2 也是非常重要的。