三星推出第六代 V-NAND 闪存 降低延迟与功耗 最高可达 136 层堆叠

Samsung(三星)于本周二推出了第六代 V-NAND 闪存,最多可以设计突破 100 层堆叠,有利于未来进一步提高存储器的容量和密度。要使 V-NAND 堆叠超过 100 层,则不得不使用新的电路设计。与 Samsung 的上一代 V-NAND 相比,延迟降低了 10%,功耗降低了 15%。

三星推出第六代 V-NAND 闪存 降低延迟与功耗 最高可达 136 层堆叠

降低延迟与功耗

Samsung 的第六代 V-NAND 闪存可提供高达 136 层堆叠,新闪存使用一个堆栈,并且不再使用 string stacking(字符串堆叠)等技术。为了实现低错误率和低延迟,Samsung 使用新的 speed-optimized 电路设计,最终使 3D TLC 256 Gb 芯片能够实现写延迟低于 450 微秒,读延迟低于 45 微秒。相比上一代产品,整体延迟降低了 10%。Samsung 也表示,在降低了延迟的同时,功耗也低于其前代产品。

新的制造工艺

值得注意的是,新的 V-NAND 闪存使用 6.7 亿个孔,低于上一代的 9.3 亿个。这意味着新芯片需要更少的工艺步骤并且更容易制造。重要的是,Samsung 计划将用 speed-optimized 电路设计构建超过 300 层的 V-NAND 闪存,通过将三个堆栈安装在彼此之上(闪存容量也同样增加三倍)。

成品

最初,Samsung 将提供 256 Gb 3D TLC 136 层 V-NAND 闪存,这些闪存将首先用于 Samsung 自家的的 250 GB SSD。今年晚些时候,Samsung 计划发布 512 Gb 136 层 V-NAND 设备,这些设备将用于其他驱动器以及 eUFS 存储解决方案。顺带提一句,新款 SSD 所采用的 Samsung 的主控芯片 S4LR030/S94G4MW2 也是非常重要的。

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topgamer
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  1. topgamer
    topgamer发布于: 
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    不知价格如何~

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