三星宣布为了提高NAND闪存供应能力将扩建其在韩国的工厂

三星宣布为了满足全球的数据中心以及移动手机市场的 NAND 闪存需求，制定了扩大其在韩国平泽市的工厂产能的计划。

目前该计划已经开始执行，预计此次新建的工厂最快在2021年下半年就可以开始量产，届时将会专门生产三星正在研发的堆叠层数高达160层的第七代 V-NAND 闪存。

三星电子存储器的全球销售与营销执行副总裁 Cheol Choi 就此事回应称：“这项用于扩充 NAND 闪存产能的投资重申了我们对客户的承诺，即在不稳定的时期，我们依旧会在存储技术领域保持领先。我们还将会继续为市场提供最优的解决方案，并且会为整个 IT 行业和全球经济增长做出贡献。”

三星公司称其平泽市工厂将会是“由两条世界上最大的生产线所组成的下一代存储技术的枢纽”，他们寄希望于其扩大 NAND 闪存的产能，从而能够长期稳定地为市场供应 NAND 闪存。

随着物联网行业以及人工智能行业的迅速发展，各行各业都非常需要诸如 NAND 闪存这样的元器件，这也印证三星决策层的选择是正确的。

蓝点网此前报道：

三星在3月17日宣布，旗下用于旗舰智能手机的业界首款512GB UFS 3.1 存储芯片已经开始量产，他们声称该 UFS 3.1 存储芯片提供了市面上最快的存储解决方案，与现有的 UFS 3.0 芯片相比，UFS 3.1 的写入速度足足快了3倍。