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台积电将会在2021年风险试产3nm工艺 性能比5nm强10%~15%

著名半导体制造商台积电今天召开了第二十六届技术研讨会,会上首先谈论了他们公司即将推出的制程工艺方案,其中包括基于5nm 工艺的 N5和 N5P,基于4nm 工艺的 N4,基于3nm 工艺的 N3。

首先是目前已经开始量产的 N5,台积电表示 N5相对于目前的 N7(7nm 工艺)的功耗降低了30%,或者说是同功耗下 N5比 N7的性能提升了15%,同时晶体管密度提升了84%,目前基于该工艺的芯片已经进入量产阶段,到现在为止产得最多的就是华为麒麟最后的高端芯片麒麟9000,因为不久后台积电就会因美国的限制而不能继续与华为合作。

台积电将会在2021年风险试产3nm工艺 性能比5nm强10%~15%

除了 N5之外,台积电还会在明年量产一项基于 N5升级的 N5P 工艺,N5P 相比 N5 的功耗降低了10%(性能提升了5%),不过由于这只是 N5的小迭代版本,因此性能提升是有限的,采用 N5P 打造的芯片也不会很多。

N5真正的继任者是我们都听过的 N3,台积电表示将会在2021年开启3nm 工艺的风险试产,在2022年开启3nm 工艺的量产,N3相比 N5的功耗降低了25%~30%(性能提升了10%~15%)。

在 N3和 N5之间,台积电还会推出一个基于4nm 工艺的 N4,将会在2021年风险试产,在2022年开启量产,不过台积电并未提到其相对于 N5工艺的性能提升,因此性能提升可能不算很大。

台积电并不是唯一一家将会推出3nm 工艺的代工厂,三星也表示会在2021年推出基于3nm 工艺打造的芯片,不过他们采用的是名为 Gate-All-Around 技术,而台积电采用的是 FinFET 技术。

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