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最高单条容量可达 64GB:三星量产 DDR4 内存

韩国三星电子今天正式宣布,目前已经开始正式量产全球首款采用 3D TSV 立体硅穿孔封装技术打造的 DDR4 内存条,单条容量高达 64GB。

该 DDR4 内存采用三星自家先进的 2xnm 工艺,所采用的 TSV 技术,是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连方式,可将多个芯片堆叠起来,提升容量和性能。

三星量产DDR4内存 最高单条容量可达64GB

三星在 2010 年的 4xnm 8GB 内存上就首次使用了 TSV,2011 年又完成了 3xnm 32GB,现在是第一次用于 DDR4。

内存芯片目前的容量水平已经趋于平稳,而内存模块已经可以直接插入主板之上,所以三星创新性的 3DTSV 封装技术则实现了多层堆叠的裸片之间的垂直互连。

未来,DDR4 将逐渐开始取代现有的 DDR3 内存,并且从下个季度开始首先应用在服务器和游戏 PC 上。

DDR4 内存将节省超过 50%的电能,并且在内存带宽上也要节省超过 35%。

英特尔同样在 9 月初计划推出兼容与 DDR4 内存的 Grantley 芯片,并且首批产品将应用到联想和戴尔的服务器产品中。

“使用数据中心服务的应用程序将从三星新的内存产品中获得巨大的收益,”Insight 64 的首席分析师 Nathan Brookwood 表示。

而这其中包括了数据库和分析应用服务,涵盖了那些来自 Oracle 和 SAP 的业务,更大容量的数据被保存在内存中,将有助于提高应用程序的性能。

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评论 4

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  1. #2
    Unknown Unknown Unknown Unknown

    容量逆天 价格更逆天

    wzc2年前 (2014-09-07)回复
  2. #1
    Unknown Unknown Unknown Unknown

    三星还是很厉害的!

    红领巾2年前 (2014-09-07)回复