蓝点网
给你感兴趣的内容!

最高单条容量可达64GB:三星量产DDR4内存

韩国三星电子今天正式宣布,目前已经开始正式量产全球首款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条,单条容量高达64GB。

该DDR4内存采用三星自家先进的2xnm工艺,所采用的TSV技术,是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连方式,可将多个芯片堆叠起来,提升容量和性能。

三星量产DDR4内存 最高单条容量可达64GB

三星在2010年的4xnm 8GB内存上就首次使用了TSV,2011年又完成了3xnm 32GB,现在是第一次用于DDR4。

内存芯片目前的容量水平已经趋于平稳,而内存模块已经可以直接插入主板之上,所以三星创新性的3DTSV封装技术则实现了多层堆叠的裸片之间的垂直互连。

未来,DDR4将逐渐开始取代现有的DDR3内存,并且从下个季度开始首先应用在服务器和游戏PC上。

DDR4内存将节省超过50%的电能,并且在内存带宽上也要节省超过35%。

英特尔同样在9月初计划推出兼容与DDR4内存的Grantley芯片,并且首批产品将应用到联想和戴尔的服务器产品中。

“使用数据中心服务的应用程序将从三星新的内存产品中获得巨大的收益,”Insight 64的首席分析师Nathan Brookwood表示。

而这其中包括了数据库和分析应用服务,涵盖了那些来自Oracle和SAP的业务,更大容量的数据被保存在内存中,将有助于提高应用程序的性能。

转载请注明来源于蓝点网及本文链接:蓝点网 » 最高单条容量可达64GB:三星量产DDR4内存
分享到:更多 ()
以下评论内容由网友保留所有权,除非特别注明否则所有评论均不代表本站观点!

评论 4

  • 昵称 (必填)
  • 邮箱 (必填)
  • 网址
  1. #2

    容量逆天 价格更逆天

    wzc2年前 (2014-09-07)回复
  2. #1

    三星还是很厉害的!

    红领巾2年前 (2014-09-07)回复