报道称台积电在2纳米制程上获得重大突破 2023年将进行风险性试产
聚焦芯片工艺的台积电目前正在啃 2纳米制程这个硬骨头,现在台媒已经传出消息称台积电在新制程上获得突破。
目前业界领先使用的主要是 7 纳米制程,台积电的5纳米制程虽然已经量产不过产能主要都被苹果这种客户拿下。
对台积电来说无论市场情况如何新技术的研发不能耽搁,所以台积电不仅在提供 5 纳米产能还在研究2纳米制程。
注:本文配图均来自三星发布的宣传视频
台媒报道称目前台积电已经取得重大突破 ,如果顺利的话台积电将在2023年时进行风险性试产2024年进行量产。
在技术方面台积电放弃延续多年的FinFET鳍式场效应晶体管技术 , 也没有采用三星的环绕栅极场效应晶体管技术。
台积电以环绕栅极场效应管技术为基础研发MBCFET多桥通道场效应管晶体,该技术三星目前也在积极进行研发。
多桥通道场效应管晶体技术可形成纳米片,这种技术能够显著地降低功耗并提高性能,同时还可以降低芯片面积。
分析师称台积电将借此继续拉大与竞争对手的领先优势并延续摩尔定律 ,同时台积电也将向1纳米制程工艺挺进。