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干掉闪存 – 下代MRAM首次展示:快7倍

近日,日本TDK首次展示了新型存储技术MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash闪存。

MRAM全称磁阻随机访问内存,已经存在一段时间了,但是TDK将其带到了一个新的高度。

它以磁荷为数据存储介质,而它的名字来自自旋传输矩,也即是写入数据的时候利用电子角动量来改变磁场。

MRAM技术的读写速度可以媲美SRAM、DRAM,当同时又是非易失性的,也就是可以断电保存数据,等于综合了RAM、Flash的优点。

TDK多年来一直在研究STT-MRAM,但此前从未公开展示。这次拿出的原型芯片和一个NOR Flash闪存进行了肩并肩对比,读写数据的速度是后者的7倍多——342MB/s VS. 48MB/s。

不过目前测试芯片的容量才8Mb(1MB),实在微不足道。

TDK已经让手下的Headway Technologies(位于美国加州)试产了一块8英寸(200毫米)的MRAM晶圆,但它没有量产能力,商用的时候必须另外寻找代工伙伴。

至于MRAM何时能够投入实用,目前还没有确切时间表,但是TDK估计说可能需要长达10年。

Intel、IBM、三星、海力士、东芝也都在不同程度地研发STT-MRAM,而美国亚利桑那州的Everspin Technologies甚至已经小批量出货,Buffalo固态硬盘的缓存就用到了它。

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评论 1

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  1. #1

    木头科学二百五2年前 (2014-10-12)回复