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最高单条容量可达 64GB:三星量产 DDR4 内存

山外的鸭子哥评论(4)

韩国三星电子今天正式宣布,目前已经开始正式量产全球首款采用 3D TSV 立体硅穿孔封装技术打造的 DDR4 内存条,单条容量高达 64GB。 该 DDR4 内存采用三星自家先进的 2xnm 工艺,所采用的 TSV 技术,是一种穿透硅晶圆或...