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三星宣布开始量产10纳米级别的8GB DDR4内存|蓝点网
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三星宣布开始量产10纳米级别的8GB DDR4内存

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三星日前已经宣布开始量产10纳米级别的8GB DDR4内存条,新款内存相比拥有更低的功耗和更出色的性能。 该公司称新款内存能源效率方面提高约15%可延长设备续航时间,同时在性能方面亦有大约10%左右的提高。 性能提高得益于每个模块速度由此前...

最高单条容量可达64GB:三星量产DDR4内存|蓝点网
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最高单条容量可达64GB:三星量产DDR4内存

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韩国三星电子今天正式宣布,目前已经开始正式量产全球首款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条,单条容量高达64GB。 该DDR4内存采用三星自家先进的2xnm工艺,所采用的TSV技术,是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连方式,可...